PCB/IC行業

        當前✘•·╃•，隨著半導體技術不斷微縮✘•·╃•，先進的積體電路器件已從平面向三維結構轉變✘•·╃•，積體電路製造工藝正變得越來越複雜✘•·╃•，往往需要經過幾百甚至上千道的工藝步驟☁₪╃·。對於先進的半導體器件製造✘•·╃•，每經過一道工藝✘•·╃•，矽片表面都會或多或少地存在顆粒汙染物·☁、金屬殘留或有機物殘留等✘•·╃•，器件特徵尺寸的不斷縮小和三維器件結構的日益複雜性✘•·╃•，使得半導體器件對顆粒汙染·☁、雜質濃度和數量越來越敏感☁₪╃·。對矽晶元上掩模表面的汙染微粒的清洗技術提出了更高的要求✘•·╃•，其關鍵點在於克服汙染微顆粒與基材之間極大的吸附力✘•·╃•，傳統的化學清洗·☁、機械清洗·☁、超聲清洗方法均無法滿足需求✘•·╃•，而鐳射清洗可以很容易解決此類汙染問題☁₪╃·。

        另外✘•·╃•，隨著積體電路器件尺寸持續縮小✘•·╃•，清洗工藝過程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關注的問題✘•·╃•，將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷是最基本的要求✘•·╃•，鐳射清洗技術具有非接觸性·☁、無熱效應✘•·╃•，不會對被清洗物體產生表面損壞✘•·╃•，且不會產生二次汙染等傳統清洗方法所無法比擬的優勢✘•·╃•，是解決半導體器件汙染的清洗方法☁₪╃·。